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마그네트론 스퍼터링 코팅을 위한 PVD 아크 이온 몰리브덴 텅스텐 합금 플레이트 타겟
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x제품 상세 정보
| 이름 | PVD 아크 이온 플레이팅을 코팅하는 자전관 스퍼터링을 위한 텅스텐화 몰리브데눔 합금 플레이트 타겟 | 소재 | 텅스텐 몰리브덴 합금 |
|---|---|---|---|
| 형태 | 플레이트 목표 | 두께 | 3~25mm |
| 너비 | 200~610mm | 길이 | ≤1500 밀리미터 |
| 표면 | 닦습니다 | 주 | 어닐링됩니다 |
| 강조하다 | 몰리브덴 텅스텐 합금 플레이트 타겟,25 밀리미터 몰리브덴 텅스텐 타겟,닦은 몰리브덴 텅스텐 타겟 |
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제품 설명
원프렌-몰리브덴 합금 판 타겟 마그네트론 스프터링 코팅 PVD 아크 이온 코팅
1PVD를 위한 텅프스텐 몰리브덴 합금판 목표 정보:
텅스텐-몰리브덴 합금 판 목표물은 다양한 얇은 필름 퇴적 기술에서 널리 사용되는 고순도 텅스텐 및 몰리브덴 합금 재료입니다.아래에서 나는 당신에게 사양에 대한 상세한 소개를 줄 것입니다, 기술 매개 변수 및 텅스텐-몰리브덴 합금 판 타겟의 사용.
2. 사양텅프렌 몰리브덴 합금판의 목표 PVD:
울프스텐-몰리브덴 합금 판 표적은 일반적으로 특정 비율로 울프스텐과 몰리브덴을 혼합하여 만들어집니다. 일반적으로,원프렌-몰리브덴 합금 판의 텅스텐 함량은 80%~90%, 그리고 몰리브덴 함량은 10%~20%입니다.
그 사양은 일반적으로 다른 응용 요구 사항에 따라 사용자 정의됩니다. 일반적인 크기는 지름 50mm, 지름 100mm, 제곱 100mm * 100mm 등을 포함합니다.
| 너비, 인치 (mm) | 두께,인치 (mm) | 두께 허용, 인치 (mm) |
| ≤12 (305) | ≥0.005~0.01 (0.13~0.25) |
±0.001(±0.0254) |
| ≥0.01~0.02 (0.25~0.51) | ±0.002 (±0.0508) | |
| ≥0.02 (0.51) | ±10% | |
| ≥12~14 (305~610) | ≥0.01~0.025 (0.25~0.64) | ±0.0025 (±0.0635) |
| ≥0.025 (0.64) | ±10% | |
| ≥24~30 (610~762) | ≥0.016~0.03 (0.41~0.76) | ±0.003 (±0.0762) |
| ≥0.03 (0.76) | ±10% | |
| ≥30~48 (762~1219) | ≥0.04 (1.02) | ±10% |
| ≥0.1875 (4.762) | ±10% |
3기술 매개 변수텅프렌 몰리브덴 합금판의 목표 PVD:
1) 높은 순도: 텅스텐-몰리브덴 합금 판 표적은 높은 순도를 가지고 있으며 일반적으로 99.95% 이상입니다.
2) 높은 밀도: 텅스텐-몰리브덴 합금 판 표적이 일반적으로 18.5-19.0g/cm3 사이 높은 밀도를 가지고 있습니다.
3) 좋은 열 안정성: 텅스텐-몰리브덴 합금 판 타겟은 좋은 열 안정성을 가지고 있으며 높은 온도에서 물리적 및 화학적 특성을 변하지 않게 할 수 있습니다.
4) 좋은 부식 저항성: 텅스텐-몰리브덴 합금 판 타겟은 좋은 부식 저항성을 가지고 있으며 다양한 화학 환경에서 안정적인 성능을 유지할 수 있습니다.
4의 적용텅프렌 몰리브덴 합금 판 목표:
1) 얇은 필름 퇴적: 울프겐-몰리브덴 합금 판 표적이 물리 증기 퇴적 (PVD) 과 같은 다양한 얇은 필름 퇴적 기술에서 널리 사용됩니다.마그네트론 스프터링 (sputtering), 아크 이온 접착 (아크 이온 접착) 등
2) 전자 장치: 텅프렌-몰리브덴 합금 판 타겟은 광전도 장치, 초전도 물질,반도체 장치, 등등
3) 의료 분야: 텅스텐-몰리브덴 합금 판 타겟은 방사성 핵 물질의 생산과 같은 의료 분야에서 널리 사용됩니다.
결론적으로, 텅스텐-몰리브덴 합금 판 타겟은 높은 순도, 좋은 열 안정성, 부식 저항성 및 광범위한 응용 분야로 인해 매우 중요한 재료입니다.
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