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반도체 몰리브덴 디스크 몰리 시트 TZM 몰리브덴 합금 몰리브덴 금속을 위한 맞춘 몰리브덴 TZM 시트
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x제품 상세 정보
| 이름 | 반도체를 위한 몰리브덴판 | 재료 | 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 |
|---|---|---|---|
| 등급 | Mo1,TZM,MoLa 불순물 | 비중 | 10.2g/cm3 |
| 형태 | 라운드 시트 | 애플리케이션 | 반도체 |
| 강조하다 | 몰리브덴 TZM 시트,반도체 TZM 시트,맞춘 몰리브덴판 |
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제품 설명
반도체를 위한 몰리브덴판
1. 반도체를 위한 몰리브덴판에 대한 기술 :
고순도, 고밀도, 벌금과 균일한 성질 특성은 스퍼터링 공정 동안 극단적으로 높은 스퍼터링 효율과 균일막 두께와 매끄러운 식각 표면의 결과를 초래한 몰리브덴 스퍼터 표적에 참석합니다.
반도체를 위한 몰리브덴판은 고온에 우수한 기계적인 특성, 저팽창, 고열 전도성과 극단적으로 높은 전기 전도도를 가집니다. 그것은 다양한 사용과 내화 금속입니다.
순수한 몰리브덴, 몰리브덴 티타늄, 몰리브덴 탄탈과 몰리브덴 합금 타겟을 포함하여 거기는 스퍼터 표적으로서 사용될 수 있는 몰리브덴의 많은 다른 조합이 있습니다. 고순도와 좋은 고밀도와 일관된 입자 특성은 스퍼터링 공정 전체에 걸쳐 극단적으로 높은 스퍼터링 효율과 동질적인 필름 두께와 깨끗한 식각 표면의 결과를 초래한 몰리브덴 스퍼터 표적에 참석합니다. 몰리브덴판은 반도체를 위한 고객의 상술에 했습니다.
2. 반도체를 위한 몰리브덴판의 매개 변수 :
| 이름 | 반도체를 위한 몰리브덴판 |
| 분자량 | 95.94 |
| 출현 | 은 같습니다 |
| 융해점 | 2623 'Ｃ |
| 비등점 | 4639 'Ｃ |
| 비중 | 10280 kg/m3 |
| H2O의 가용성 | 이용 불가능 |
| 전기 고유 저항 | 5.2 0 'Ｃ에 있는 마이크로옴 센티미터 |
| 전기음성도 | 1.9 폴링 |
| 융해열 | 6.6 Cal / gm 몰 |
| 기화열 | 4612 'Ｃ에 있는 128개 킬로칼로리 / gm 원자 |
| 프와송 비 | 0.31 |
| 비열 | 25 'Ｃ에 있는 0.0599 Cal/g/K |
| 인장 강도 | 이용 불가능 |
| 열전도율 | 298.2 Ｋ에 있는 센티미터 / Ｋ와 1.38 |
| 열팽창 | (25 'Ｃ) 4.8 um·m-1·K-1 |
| 비커스 경도 | 1530 MPa |
| 영 계수 | 329 GPa |
3. 반도체를 위한 몰리브덴판의 품목 전시회 :
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