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x이름 | 몰리브덴 목표의 화학적 특성과 적용 | 재료 | 몰리브덴 및 몰리브덴 합금 |
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비중 | 10.2g/cm3 | 순도 | 99.95% |
서피스 | 닦습니다 | MOQ | 1 킬로그램 |
강조하다 | 10.2g/cm3 몰리브덴 제품,닦은 몰리브덴 제품,닦은 몰리브덴 목표 |
몰리브덴 목표의 화학적 특성과 적용
1.몰리브덴 목표의 화학적 특성 :
몰리브덴 목표의 화학적 특성은 상대적으로 안정적입니다. 실온에, 그것은 공기 또는 물에 안정적이지만, 그러나 경미한 산화가 온도가 400 'C에 도달할 때 발생하고 격렬한 산화가 온도가 산화 몰리브데늄을 형성하기 위해 600 'C에 도달할 때 발생합니다. 염산, 불화수소산, 묽은 질산과 알카리 용액은 목표와 반응하지 않지만, 그러나 그들이 질산, 왕수 또는 뜨거운 황산 용액에 용해될 수 있습니다.
매체 | 실험 조건 | 반응 |
물 | 부식되지 않습니다 | |
HF | 춥고 뜨겁습니다 | 부식되지 않습니다 |
HF+H2SO4 | 냉기 | 부식되지 않습니다 |
가온 | 경미한 부식 | |
HF+Aqua 리기아 | 냉기 | 경미한 부식 |
가온 | 부식 신속히 | |
HF+HNO3 | 춥고 뜨겁습니다 | 부식 신속히 |
암모니아 | 부식되지 않습니다 | |
녹는 알칼리 | 환경에 | 경미한 부식 |
산화제들 그와 같은 asKNO3/KNO/Kcl3/PbO2 | 부식 신속히 | |
붕소 | 고온에 | 붕화물을 발생시키세요 |
C | 1100C 이상 | 형식 카바이드 |
Si | 1100C 이상 | 규화물을 발생시키세요 |
P | 최고 온도에 | 부식되지 않습니다 |
S | 440C 이상 | 형식 황화물 |
요오드 | 790C 이상 | 부식되지 않습니다 |
취소 | 840C 이상 | 부식되지 않습니다 |
염소 | 230C 이상 | 강한 부식 |
불소 | 실온 | 강한 부식 |
공기와 산소 | 400C | 산화하기 시작하세요 |
600C | 강한 산화 | |
700C 이상 | MoO3sublimation | |
수소와 영족 기체 원소 | 최고 온도에 | 불감응형 |
CO | 1400C 이상 | 형식 카바이드 |
이산화탄소 | 1200C | 산화 |
탄화수소 | 1100C | 형식 카바이드 |
Al, Ni, Fe, Co, 투루 | 용해 | 강한 부식 |
아연 | 용해 | 경미한 부식 |
양성입니다 | 용해 | 대단히 부식성입니다 |
글라스 | 용해 | 대단히 부식성입니다 |
내화물 oxideAl2O3,ZrO2,BeO,MgO,ThO2 | 1700C | 부식되지 않습니다 |
2. 몰리브덴 목표의 애플리타이온 :
1.) 몰리브덴 스퍼터링의 사용은 평면 디스플레이 장치를 표적화합니다.
전자 산업에서, 몰리브덴 스퍼터 표적의 사용은 주로 평면 디스플레이 장치, 박막형 태양전지 전극과 배선 물질과 반도체 차단 소재를 포함합니다. 이러한 물질은 몰리브덴을 기반으로 하고, 부식성이고 좋은 환경 성과에 고융점, 높은 전기 전도도, 낮은 특정한 임피던스, 적절한 저항을 가지고 있습니다. 몰리브덴은 단지 크롬의 절반의 고유 저항과 박막 스트레스보다 유리하고, 어떤 환경오염 문제도 있지 않고 따라서 그것이 평면 디스플레이 장치를 위한 스퍼터 표적에 대해 우선권이 있는 물질 중 하나가 되었습니다. 이것 뿐 아니라 액정 화면의 성분에서 몰리브덴의 사용은 매우 밝기, 대비, 색과 수명의 관점에서 액정 화면의 성능을 개선할 수 있습니다.
평면 디스플레이 장치 비즈니스에, TFT-라이크즈는 몰리브덴 스퍼터 표적을 위한 중요한 상업적 응용 분야 중 하나입니다. 시장 조사에 따르면, LCD 개발은 대략 30%의 평균 연간 성장 율로, 다가오는 수년 내에 그것의 피크에 도달할 것입니다. LCD의 향상과 함께, LCD 스퍼터 표적에 대한 수요는 또한 매년 대략 20%의 비율로, 빨리 상승할 것입니다.
얇은 필름 태양 전지에서 몰리브덴 스퍼터 표적의 2.)애플리케이션.
평판 디스플레이 산업 뿐 아니라 새로운 에너지 산업의 개발과 함께, 박막 태양 전지 위의 몰리브덴 스퍼터 표적의 사용은 또한 증가하고 있습니다.
CIGS 태양 전지는 햇빛을 전기로 전환하는데 사용되는 태양 전지의 결정적 종류입니다. 4대 원소는 CIGS를 구성합니다 : 셀레늄 (Se), 갈륨 (Ga), 인듐 (인)과 구리 (Cu) (Se).그것의 전체 이름은 인듐동 갈륨 셀레나이드 박막 광전지입니다. 강한 빛 흡수와 좋은 발전 안정, 고변환 효율, 긴 주간 발전 시간, 거대 권력 세대, 저생산비용과 다른 혜택은 CIGS.and 짧은 에너지 회복 기간과 모두 관련됩니다.
몰리브덴 목표는 CIGS 박막 이차 전지의 전극층을 형성하기 위해 스퍼터링됨으로써 주로 형성됩니다. 몰리브덴은 태양 전지의 토대에 위치합니다. 핵 형성과 발달과 CIGS 박막 결정의 형상은 의미 심장하게 태양 전지의 후면 접촉을 역할을 하는 이 접촉에 의해 영향을 받습니다.
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